Оперативная память MICRON MTA72ASS8G72PSZ-3S2E1

Оперативная память Micron MTA72ASS8G72PSZ-3S2E1: 64 ГБ DDR4 3DS RDIMM для серверов

Micron MTA72ASS8G72PSZ-3S2E1 — это сертифицированный модуль оперативной памяти стандарта DDR4 объемом 64 ГБ, выполненный в специализированном высокоплотном исполнении 3DS (Three-Dimensional Stack) RDIMM с поддержкой коррекции ошибок ECC. Модель предназначена для использования в критически важных серверных системах, дата-центрах и высокопроизводительных вычислительных средах, где стабильность и максимальная плотность памяти являются приоритетом .

Основные характеристики

• Суммарный объем: 64 ГБ (один модуль) .
• Тип памяти: DDR4 3DS Registered DIMM (RDIMM) с поддержкой ECC .
• Тактовая частота: 3200 МТ/с (PC4-25600) .
• Тайминги (задержки): CL26-22-22 .
• Напряжение питания: 1.2 В .
• Форм-фактор: DIMM 288-pin .
• Конфигурация: 2 пакетных ранга × 2 логических ранга (2 Package Ranks x 2 Logic Ranks) .
• Высота модуля: 31.25 мм .

Назначение

Данный модуль ориентирован на использование в серверных системах корпоративного уровня и профессиональных рабочих станциях, где требуется максимальная надежность и целостность данных. Благодаря поддержке Registered (буферизованного) типа памяти и технологии ECC, модуль обеспечивает повышенную стабильность при длительной непрерывной работе 24/7. RDIMM-память снижает электрическую нагрузку на контроллер памяти, что позволяет устанавливать большее количество модулей в одну систему по сравнению с обычной небуферизованной памятью .

Модуль идеально подходит для:

• серверов корпоративного класса и дата-центров;
• систем виртуализации (VMware, Hyper-V, Proxmox);
• серверов баз данных (SQL, Oracle, PostgreSQL);
• систем обработки больших данных (Big Data, AI, ML);
• высокопроизводительных рабочих станций.

Ключевая особенность: Технология 3DS (Three-Dimensional Stack)

Данный модуль использует передовую технологию 3DS (3D-стэкирования), что является его главным отличием от обычных RDIMM-модулей. Внутри корпуса модуля два кристалла памяти объемом 32 ГБ каждый физически уложены друг на друга и соединены сквозными кремниевыми отверстиями (TSV). Для системы модуль выглядит как единый кристалл на 64 ГБ, что позволяет достичь высокой плотности памяти без увеличения физической нагрузки на шину .

Преимущества 3DS технологии:

• Максимальная плотность памяти: 64 ГБ в стандартном корпусе RDIMM позволяет создавать серверы с терабайтными объемами ОЗУ при ограниченном количестве слотов DIMM .
• Снижение нагрузки на контроллер памяти: Несмотря на использование двух кристаллов, электрическая нагрузка остается такой же, как от одного чипа .
• Конфигурация 2 пакетных ранга × 2 логических ранга: Обеспечивает высокую производительность и совместимость с широким спектром серверных платформ .
• Master/Slave управление: Встроенная логика управления координирует работу двух стэкированных кристаллов .

Возможности

• Коррекция ошибок ECC: Технология Error-Correcting Code автоматически обнаруживает и исправляет ошибки при передаче данных, что критически важно для серверов и систем, обрабатывающих важные данные .
• Registered тип памяти (RDIMM): Использование буфера между контроллером памяти и чипами DRAM снижает электрическую нагрузку и повышает стабильность при работе с большим количеством модулей .
• Высокая частота 3200 МТ/с: Максимальная официально поддерживаемая частота для платформы DDR4, обеспечивающая высокую пропускную способность — до 25.6 ГБ/с на модуль .
• Энергоэффективность: Низкое напряжение питания 1.2 В снижает энергопотребление и тепловыделение, что особенно важно для круглосуточно работающих серверов .
• Поддержка JEDEC-стандарта: Модуль соответствует отраслевым стандартам и не требует дополнительной настройки .
• Встроенный температурный датчик с SPD EEPROM: Позволяет отслеживать тепловые условия модуля в реальном времени .

Технические характеристики

Архитектура и совместимость

• Тип памяти: DDR4 3DS RDIMM (Registered DIMM) .
• Пропускная способность: 25600 МБ/с (PC4-25600) .
• Количество контактов: 288 pin .
• Конфигурация: 8 Gig x 72 (с ECC) .
• Базовая конфигурация DRAM: 16 Гбит 3DS 2-high stack x4 .
• Адресация: Row address 128K (A[16:0]), Column address 1K (A[9:0]), Device bank group address 4 (BG[1:0]), Device bank address per group 4 (BA[1:0]) .
• Совместимые платформы: Серверы на базе Intel Xeon Scalable, AMD EPYC, поддерживающие 3DS RDIMM .

Энергопотребление и физические параметры

• Напряжение: VDD = 1.2 В, VPP = 2.5 В .
• Высота модуля: 31.25 мм .
• Длина модуля: 133.35 мм.
• Цвет PCB: Зеленый.
• Радиатор: Отсутствует.
• Рабочая температура: Commercial (0°C ≤ TOPER ≤ 95°C) .
• Контакты: Позолоченные краевые контакты (Gold edge contacts) .
• Halogen-free: Безгалогенная конструкция .

Тайминги и задержки

• CAS Latency (CL): 26 .
• RAS to CAS Delay (tRCD): 22 .
• Row Precharge Delay (tRP): 22 .
• Memory Clock: 0.62ns (при 3200 МТ/с) .
• tRC (Row Cycle Time): 45.75 нс .
• Задержка (латентность): 16.25 нс (при 3200 МТ/с).

Где применяется Micron MTA72ASS8G72PSZ-3S2E1

• Серверы корпоративного класса и дата-центры.
• Системы виртуализации с высокой плотностью виртуальных машин.
• Серверы баз данных с большими наборами данных.
• Системы обработки больших данных (Big Data, AI, ML).
• Высокопроизводительные вычислительные системы (HPC).
• In-memory computing платформы.

Почему стоит выбрать Micron MTA72ASS8G72PSZ-3S2E1

• Максимальная плотность памяти: 64 ГБ в стандартном форм-факторе RDIMM позволяет достигать терабайтных объемов памяти в системах с ограниченным количеством слотов .
• Технология 3DS от Micron: Использование передовой технологии 3D-стэкирования кристаллов обеспечивает высокую надежность и производительность .
• Высокая производительность: Частота 3200 МТ/с с таймингами CL26 обеспечивает отличную пропускную способность для серверных приложений .
• Поддержка ECC и Registered: Коррекция ошибок и буферизация обеспечивают целостность данных и стабильную работу .
• Надёжность Micron: Micron — один из ведущих производителей полупроводниковой памяти в мире, обеспечивающий высочайшее качество продукции.
• Снижение нагрузки на контроллер памяти: Несмотря на высокую плотность, электрическая нагрузка остается минимальной благодаря технологии 3DS .

Часто задаваемые вопросы