Серверный SSD SAMSUNG PM1725b

Серверный SSD Samsung PM1725b — высокопроизводительное решение на базе PCIe 3.0 для корпоративных систем хранения данных

Samsung PM1725b — это твердотельный накопитель корпоративного класса, предназначенный для критически важных серверных приложений и центров обработки данных (ЦОД) . Оснащённый интерфейсом PCIe 3.0 x8 (в версии HHHL) или PCIe 3.0 x4 с dual-port (в версии U.2), он обеспечивает высокую пропускную способность и стабильно низкие задержки для самых требовательных рабочих нагрузок . Накопитель построен на базе 64-слойной 3D V-NAND TLC памяти Samsung четвёртого поколения и предназначен для сред с интенсивными смешанными нагрузками, включая базы данных, виртуализацию, аналитику больших данных и OLTP-системы .

Основные характеристики

• Тип накопителя: Enterprise NVMe SSD
• Модель: Samsung PM1725b
• Объём: 1.6 ТБ, 3.2 ТБ, 6.4 ТБ, 12.8 ТБ
• Интерфейс: PCIe 3.0 x8 (для карт расширения HHHL) / PCIe 3.0 x4 с dual-port (для U.2)
• Форм-фактор: PCIe HHHL (полноразмерная карта расширения) или 2.5" U.2
• Тип памяти: Samsung 64-слойная 3D V-NAND TLC (Triple-Level Cell)
• Назначение: Mixed-use / High-performance (до 5 DWPD)

Назначение

SSD Samsung PM1725b разработан для критически важных корпоративных приложений, требующих максимальной производительности, высокой надёжности и минимальных задержек. Накопитель оптимизирован для следующих задач:

• Базы данных и OLTP-системы: высокоскоростная обработка миллионов транзакций в реальном времени .
• Виртуализация серверов и VDI: консолидация инфраструктуры и создание высокоплотных сред с интенсивным вводом-выводом .
• Аналитика больших данных (Big Data): обработка и анализ огромных массивов информации с высокой скоростью доступа .
• Высокопроизводительные вычисления (HPC): работа с ресурсоёмкими научными и инженерными приложениями.
• Кэширование и ускорение СХД: использование в качестве высокоскоростного кэша для традиционных дисковых массивов.

Возможности

• Выдающаяся производительность PCIe 3.0: скорость последовательного чтения до 6 200 МБ/с (для модели 6.4 ТБ HHHL) .
• Высокая скорость последовательной записи: до 2 900 МБ/с (для модели 6.4 ТБ HHHL) .
• Исключительная скорость случайного доступа: до 940 000 IOPS при чтении 4K и до 190 000 IOPS при записи 4K .
• Поддержка dual-port (U.2 версия): возможность подключения к двум независимым контроллерам для обеспечения отказоустойчивости и бесперебойного доступа к данным .

Особенности

• Проприетарная архитектура Samsung: 64-слойная 3D V-NAND TLC четвёртого поколения и собственный контроллер .
• Высокий ресурс DWPD: до 5 Drive Writes per Day (3 DWPD для U.2 версии, 5 DWPD для HHHL версии) .
• Защита от потери питания (Power Loss Protection): встроенная схема защиты для сохранения целостности данных при внезапном отключении питания .
• Сквозная защита данных (End-to-End Data Protection): обеспечение целостности информации на всём пути от хоста до NAND .
• Два варианта исполнения: карта расширения HHHL (полноразмерная) с интерфейсом x8 и 2.5-дюймовый накопитель U.2 с dual-port .

Технические характеристики

Интерфейсы и архитектура

• Интерфейс подключения: PCIe 3.0 x8 (HHHL) или PCIe 3.0 x4 с dual-port (U.2)
• Форм-фактор: PCIe HHHL (полноразмерная карта расширения, 167.7 x 68.9 x 18.7 мм) или 2.5-дюймовый U.2 (100 x 70 x 15 мм)
• Тип NAND: Samsung 64-слойная 3D V-NAND TLC (Triple-Level Cell) .
• Доступные ёмкости: 1.6 ТБ, 3.2 ТБ, 6.4 ТБ, 12.8 ТБ
• Протокол: NVMe

Производительность (в зависимости от ёмкости и форм-фактора)

• Последовательное чтение: до 6 200 МБ/с (HHHL 6.4 ТБ), до 5 400 МБ/с (HHHL 1.6 ТБ), до 3 500 МБ/с (U.2 12.8 ТБ)
• Последовательная запись: до 2 900 МБ/с (HHHL 6.4 ТБ), до 2 000 МБ/с (HHHL 1.6 ТБ), до 3 100 МБ/с (U.2 12.8 ТБ)
• Случайное чтение (4K): до 940 000 IOPS (HHHL 6.4 ТБ), до 750 000 IOPS (HHHL 1.6 ТБ), до 800 000 IOPS (U.2 12.8 ТБ)
• Случайная запись (4K): до 190 000 IOPS (HHHL 6.4 ТБ), до 135 000 IOPS (HHHL 1.6 ТБ), до 110 000 IOPS (U.2 12.8 ТБ)

Надёжность и ресурс

• Ресурс (TBW): до 35 040 TB (для модели 6.4 ТБ HHHL)
• Интенсивность записи (DWPD): 3–5 Drive Writes per Day (3 DWPD для U.2, 5 DWPD для HHHL)
• MTBF (Mean Time Between Failures): 2 000 000 часов
• Статус продукта: Снят с производства (End of Life / Discontinued)
• Гарантия: OEM-гарантия (зависит от поставщика)

Условия эксплуатации и энергопотребление

• Рабочая температура: от 0°C до +70°C
• Энергопотребление (активный режим): до 22 Вт (в зависимости от модели)
• Энергопотребление (простой): 8 Вт
• Вес: от 310 г (HHHL) до 820 г (в упаковке)

Расходные материалы и опции

Накопитель Samsung PM1725b не требует расходных материалов. Версия HHHL устанавливается непосредственно в слот PCIe x8 на материнской плате сервера и не требует дополнительных кабелей питания. Версия U.2 поддерживает горячую замену в серверных корзинах с интерфейсом U.2. Обе версии имеют статус EOL (End of Life) и доступны только в каналах вторичного рынка или как остатки на складах .

Где применяется Samsung PM1725b

• Корпоративные ЦОД и гипермасштабируемые облачные платформы .
• Высоконагруженные серверы баз данных (OLTP, SQL, Oracle) .
• Виртуализированные среды (VMware vSAN, Hyper-V) с интенсивными нагрузками .
• Платформы для аналитики больших данных и высокопроизводительные вычисления (HPC) .
• Системы кэширования для ускорения работы традиционных СХД.

Почему стоит выбрать Samsung PM1725b

• Выдающаяся производительность для своего поколения: скорость чтения до 6.2 ГБ/с и 940 000 IOPS обеспечивают максимальную отдачу от платформ на базе PCIe 3.0 .
• Универсальность форм-факторов: доступность в двух вариантах (карта расширения HHHL и U.2) позволяет использовать накопитель в различных серверных платформах и СХД .
• Высокий ресурс DWPD: до 5 DWPD гарантирует надёжную работу в самых интенсивных сценариях записи .
• Проверенная корпоративная надёжность: 64-слойная V-NAND технология, MTBF 2 млн часов и комплексная защита данных обеспечивают стабильную работу 24/7 .
• Гибкость конфигураций: широкий диапазон ёмкостей от 1.6 ТБ до 12.8 ТБ позволяет точно подобрать накопитель под конкретные задачи .

Часто задаваемые вопросы